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IXTX24N100
45
Fig. 7. Input Admittance
60
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
40
50
35
30
40
25oC
25
20
15
T J = 125oC
25oC
30
20
125oC
- 40oC
10
10
5
0
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
70
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 500V
60
50
40
8
7
6
5
I D = 12A
I G = 10mA
30
T J = 125oC
4
20
T J = 25oC
3
2
10
1
0
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
100,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1.00
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
f = 1MHz
Ciss
10,000
0.10
Coss
1,000
Crss
100
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: F_24N100(9X)4-14-10
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